Samsung 990 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

1 TB M.2 PCI Express 4.0Velocidad de lectura: 7450 MB/s 1200000 IOPSVelocidad de escritura: 6900 MB/s 1550000 IOPSV-NAND MLC NVMe 2.0Encriptación de hardware 256-bit AESSoporte S.M.A.R.T. Soporte TRIMComponente para: PC @media (min-width: 600px) { .break_cols {display: flex;} .spec-column {width: 50%;} } .break_cols { /* align-items: center; */ justify-content: space-between; column-gap: 30px; } .tableRowHead h3 { background: #EEF1FA; margin: 0; padding: 5px; font-size: 16px; font-weight: 600; } .table { border-radius: 5px; border: 1px solid #c5c9e2; } .inner-data { display: flex; align-items: center; padding: 5px; justify-content: space-between; } .ds_label { width: 50%; } .ds_data { width: 50%; } CaracterísticasVersión NVMe2.0Algoritmos de seguridad soportados256-bit AESFactor de forma de disco SSD*M.2SDD, capacidad*1 TBInterfaz*PCI Express 4.0Tipo de memoria*V-NAND MLCNVMe*SiComponente para*PCEncriptación de hardware*SiVelocidad de lectura7450 MB/sVelocidad de escritura6900 MB/sLectura aleatoria (4KB)1200000 IOPSEscritura aleatoria (4KB)1550000 IOPSCarriles datos de interfaz PCI Expressx4Función DevSleepSiSoporte S.M.A.R.T.SiSoporte TRIMSiMemoria caché DDR externaSiCantidad de memoria caché DDR externa1024 MBCaracterísticasTiempo medio entre fallos1500000 hControl de energíaVoltaje de operación3,3 VConsumo de energía (max)7,8 WConsumo de energía (promedio)5,4 WCondiciones ambientalesIntervalo de temperatura operativa0 - 70 °CMáxima temperatura70 °CVibración operativa1500 GDetalles técnicosPeriodo de garantía5 año(s)Peso y dimensionesAncho80 mmProfundidad2,3 mmAltura22 mmPeso9 gEmpaquetadoTipo de embalajeCaja