Kingston technology valueram 4gb DDR3-1600 módulo de KVR16S11S8/4

Fuente de alimentación: JEDEC estándar de 1.5V (1.425V ~ 1.575V)VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin8 bancos internos independientesLatencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6Latencia Additive programable: 0, CL - 2, or CL - 1 clock8-bit pre-fetchLongitud de ráfaga: 8 (Intervalo sin limite, secuencial solo con dirección inicial '000'), 4 con tCCD = 4 que no permite lecturas o escrituras transparentes [o al vuelo usando A12 o MRS]Diferencial de datos Strobe Bi-direccionalCalibración interna (Auto): Autocalibración interna mediante pin ZQ (RZQ : 240 ohm ± 1%)Terminación 'On Die' usando pin ODTPromedio periodo de actualizacion 7.8us a un menor que TCASE 85ºC, 3.9us a 85ºC